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接近開關(guān)離子敏感場(chǎng)效應(yīng)晶體管的原理
 
更新時(shí)間:2014.11.05 瀏覽次數(shù):
 

  ISFET進(jìn)行化學(xué)量-離子濃度到電學(xué)量-電勢(shì)的轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件是MOSFET晶體管。有N溝道增 強(qiáng)型MOSFET和溝道中用的N型半導(dǎo)體的耗盡型晶體管。

  ISFET的工作機(jī)理和MOSFET的機(jī)理相同,只是它用離子敏感膜來(lái)代替柵極的金屬接角部分。選用合適的離子敏感膜,可以在離子選擇電極上得到與對(duì)應(yīng)離子活度對(duì)應(yīng)的電位,其階躍響應(yīng)特性和跨導(dǎo)都非常令人滿意。經(jīng)過(guò)具體工程制作和實(shí)驗(yàn)應(yīng)用,ISFET的穩(wěn)定性和壽命完全符合化學(xué)分析的要求。

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