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白天光敏電阻RL的阻力很小，脈沖充電電容C3是非常小的，不可觸發(fā)晶閘管燈泡HL HL回路，燈泡不亮;當(dāng)夜幕降臨時(shí)，光敏電阻的暗電阻，電容C3充電電脈沖信號(hào)，觸發(fā)晶閘管，晶閘管導(dǎo)通逃跑，然后繼電器線圈通電，燈串對(duì)繼電器的常開(kāi)觸點(diǎn)HL回路接通，燈泡的光是HL。
電位器RP可以觸發(fā)信號(hào)調(diào)節(jié)澆口尺寸，可調(diào)節(jié)晶閘管的導(dǎo)通角，從控制燈泡的亮度。
(二)組件選擇
選擇1A / 400V晶閘管整流，通過(guò)t1a431(1A / 400V)丹襄荊晶閘管。中繼選擇jzx-2f型，HL選擇承受電壓AC 220V燈具。其他組件模型參數(shù)如圖5-25所示。
二，硅光電池控制電路
如圖5-26顯示電路。220V交流電壓通過(guò)變壓器變壓器19V，然后橋式全波整流器，電容器CI濾波器和7812三端穩(wěn)壓集成電壓轉(zhuǎn)換成直流電壓。
光敏晶體接近開(kāi)關(guān)的簡(jiǎn)單的測(cè)試方法
接近開(kāi)關(guān)(反向電壓UR。反向擊穿電壓在無(wú)光的情況下，漏電流之間的光敏晶體管英小于0.5-l.otra，最大電壓是英，是10-50v。
(4)的最大功率點(diǎn)。最大功耗是指光敏晶體管可以安全無(wú)傷害的工作的最大功率耗散。圖2-14，虛線是允許的最大電源線，工作積極，電力線的區(qū)域的左，光電流和電壓是管電源產(chǎn)品。在這個(gè)范圍內(nèi)，管道不會(huì)引起過(guò)熱而損壞。該光敏三極管的最大功耗為50 MW，請(qǐng)參考附錄A表A-3對(duì)特定的書。
測(cè)量和4個(gè)光敏晶體管的選擇
(1)的電阻的測(cè)量方法。用萬(wàn)用表測(cè)量1kfl塊接近開(kāi)關(guān)，黑表筆接C柱，e極接紅筆，在沒(méi)有光的情況下，電阻接近無(wú)窮大。白熾燈的照射下，隨著光照強(qiáng)度，阻力減小，可以減少到低于lkfl從無(wú)窮大。E接黑表筆，紅筆接C柱，無(wú)光時(shí)的阻值為無(wú)窮大，光指針式萬(wàn)用表微動(dòng)或點(diǎn)對(duì)無(wú)窮大是正常的。
(2)的電流的測(cè)量方法。用萬(wàn)用表或50VA塊0.5mA塊，光敏晶體管連接在10V電壓(C E正極，一個(gè)電源，陰極，在電源的正極和C的萬(wàn)用表)。沒(méi)有光，電流小于0.3va，隨著光照強(qiáng)度，電流逐漸增大，從零點(diǎn)幾毫安增加幾毫安。
(3)和使用光敏管的方法的選擇
1)光敏管的選擇。光電二極管的電流很小，但是輸出線性好，響應(yīng)時(shí)間短。光光敏晶體管，但可憐的線性度，響應(yīng)時(shí)間。在工作頻率不高，電路的靈敏度(如通用紅外遙控電路可以用于光敏晶體管)。頻率越高，光電流與入射光強(qiáng)度成線性關(guān)系，應(yīng)選擇光敏二極管。
2)適當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)偏置的光敏晶體管。在晶體管放大電路，直流偏置電流基地前一般需要晶體管，以改善放大器電路的靈敏度和線性度。同樣，在光敏晶體管”的使用也應(yīng)預(yù)偏置電流。但隨著晶體管不同的是，光有偏見(jiàn)。通過(guò)預(yù)光偏置，光敏三極管通過(guò)一定的偏置電流，以提高靈敏度和線性度。
光敏晶體管的輸出特性(圖2-14)表明，在光線暗時(shí)，在工作區(qū)的光敏三極管，那么它必須到光電二極管的輸出大電流的內(nèi)部，光敏晶體管可以進(jìn)入正常工作范圍，從而降低其工作的敏感性。
3)使用透鏡。為了提高光敏管接收效果，接收距離的增加，可用于光學(xué)透鏡。 |
當(dāng)前位置：
